納米壓印光刻膠

德國(guó)Micro Resist公司創(chuàng)立于1993年.公司生產(chǎn)的高性能各種用于微納制作的光刻膠，除了生產(chǎn)用于i、g和h線的光刻膠以外，還有電子束刻蝕膠和納米壓印膠以及專門用于光學(xué)波導(dǎo)制作的光膠可供選擇。

IPNR-T1000 Thermoplastic nanoimprint resist 熱塑型納米壓印膠 
分辨率低于10nm 
低壓力壓印(< 20 bar) 
低溫壓力(< 100 ℃) 

IPNR-T2000 Thermal curable nanoimprint resist 熱固化型納米壓印膠 
分辨率低于10nm 
低壓力壓印(< 1 bar)以及低固化溫度(< 100 ℃) 
 熱固化時(shí)間短(< 60 s) 
高氧等離子體刻蝕電阻 
均一的膜厚度 

IPNR-PC1000 Photo-curable nanoimprint resist (Free radical initiation) 光固化型納米壓印(自由基引發(fā)) 
丙烯酸酯官能化聚硅氧烷抗蝕劑 
真空或者氮?dú)鈿夥障虏僮?nbsp;
低于10nm的分辨率 
低壓力壓印以及超快固化時(shí)間(< 10 s) 
低紫外照射量 
高氧等離子體刻蝕電阻 
均一的膜厚度 

IPNR-PC2000 Photo-curable nanoimprint resist (cation intiation) 光固化納米壓印蝕劑(陽(yáng)離子引發(fā)) 
乙烯基醚官能化聚硅氧烷抗蝕劑 
空氣氣氛下操作 
分辨率低于10nm 
低壓力壓印(< 1 bar)以及超快固化時(shí)間(< 1 bar) 
低紫外照射量 
高氧等離子體刻蝕電阻 
均一的膜厚度 

IPNR-UL1000 Under-layer polymer 舉離型傳遞層材料 
熱塑聚合物發(fā)送過(guò)程 
強(qiáng)粘附抗蝕劑層以及材料 

IPNR-UL2000 Under-layer polymer 刻蝕型傳遞層材料 
熱固性聚合物刻蝕面罩過(guò)程 
強(qiáng)粘附抗蝕劑層以及材料 

IPNR-UPM Quick mold fabrication material 快速模板制作材料 
快速而簡(jiǎn)單的塑造材料 
高分辨率以及低成本 
*的化學(xué)性以耐溫性 
塑造優(yōu)良的附著力基板 
可靠的脫模性 

IPNR-AP Chlorosilane based adhesion promoter 氯硅烷增粘劑 
促進(jìn)和基材之間的附著力 
氣相或者液相處理