光刻機Mask MSMA

光刻機分為半自動和全自動兩大系列。SMA-600M是用于研發和多產品生產領域的手動掩模對準儀，采用清晰的光學系統和*非接觸式校準單元。通過接觸或接近模式可以曝光到Z大φ150mm的晶片。它是曝光工藝中Z適合用于各種電子設備的系統，例如LD，LED等化合物半導體，以及包括壓力傳感器等在內的微型機械的制造工藝。

二、技術參數：

1、光掩模的尺寸：5英寸Z大；

2、晶片大小：Z高4英寸(無定形)；

3、掩模架滑動：手動卡盤；

4、模板移動：X=±3mm, Y=±3mm；

5、曝光方法：支持接近式曝光，各種接觸式（軟接觸/硬接觸/間隙印刷/真空接觸/低真空接觸）曝光；

6、照明：250W超高壓水銀燈

7、照明不均勻性：±5%

8、有效接觸面積：直徑o100毫米

9、分辨率：3mµL/S

10、對齊方法：通過攝像頭查看

11、對齊物鏡：10 x(上/下)

12、總放大倍率：100 x

13、物鏡分離：15˜90毫米

14、對準范圍：X,Y=±4毫米

15、對準間隙：99年09年µm

16、對準精度：小于±5毫米

17、主機電源：100-200交流，50/60Hz, 15A (600W)

18、氮氣：0.4˜0.5 Mpa

19、真空壓力：小于21.3kPa(大氣壓-80kPa)

三、產品特點：

用于研發，多產品生產領域

技術的前沿

采用*非接觸式校準系統
校準時不會損壞掩模和晶圓
間隙精度的顯著提高
基于“輔助線”的高精度對準是可能的