納米壓印光刻膠 mr-NIL200 系列

產(chǎn)品亮點

l自粘附特性：無需額外底涂劑（Primer），直接適用于硅、藍寶石等多種基材，簡化工藝流程，降低成本。

l高兼容性：專為氣密性硬質(zhì)印章（如石英、玻璃、OrmoStamp®）優(yōu)化，確保圖案轉(zhuǎn)移的高保真度。

l快速光固化：在 320–420 nm 紫外光下高效固化，氧氣干擾極低，適合工業(yè)化量產(chǎn)環(huán)境。

l精準膜厚控制：提供 100 nm、200 nm、300 nm 三種標準厚度，支持定制稀釋（推薦稀釋劑 mr-T 1078）。

為什么選擇 mr-NIL200？

? Excellence的刻蝕掩模性能：純有機配方，無硅殘留，與反應(yīng)離子刻蝕（RIE）工藝Perfection匹配，實現(xiàn)高分辨率圖案轉(zhuǎn)移。

? 工藝靈活性：適配主流納米壓印設(shè)備（如 EV Group、SUSS MicroTec），支持低壓力（<100 mbar）壓印，減少缺陷風險。

? 即用型配方：開瓶即用，旋涂后 60°C 預(yù)烘 3 分鐘 即可進入壓印步驟，大幅提升生產(chǎn)效率。

典型應(yīng)用場景

l半導(dǎo)體器件：納米線、光子晶體結(jié)構(gòu)的批量制造。

l光學(xué)元件：AR/VR 衍射光柵、微透鏡陣列的圖案化。

l生物傳感器：高精度微流控芯片的快速 prototyping。

技術(shù)參數(shù)速覽

使用須知

l存儲條件：需冷藏保存（4°C），使用前恢復(fù)至室溫，避免冷凝污染。

l安全環(huán)保：無鹵素溶劑，廢棄按有機溶劑處理，符合環(huán)保標準。

l后處理：殘余層可通過 O? 等離子體 或 熱硫酸（Piranha） Thorough去除。