KemLab光刻膠

KemLab光刻膠 Transist正性和負性光刻膠

描述
TRANSIST系列光刻膠產(chǎn)品與大多數(shù)濕法蝕刻液具有出色的兼容性，為微電子應(yīng)用提供可靠、高分辨率的解決方案。TRANSIST提供正性和負性兩種工作方式的光敏抗蝕劑，是專為與Transene蝕刻液配合使用的低毒性替代品。

TRANSIST NC500和ND560是負性光刻膠，適用于旋涂或浸涂應(yīng)用。在300-450 nm的吸光度范圍內(nèi)具有感光性，根據(jù)處理條件，TRANSIST NC500和ND560可解析精度高達1微米的圖形。干燥后的聚合物表現(xiàn)出優(yōu)異的基材附著力。TRANSIST NC500和ND560可單獨購買，也可與顯影劑、漂洗劑、剝離劑和稀釋劑成套購買。

TRANSIST PC800和PD860是高分辨率正性光刻膠，具有優(yōu)秀的基材附著力。在300-450 nm范圍內(nèi)顯影，TRANSIST PC800和PD860在大多數(shù)酸性蝕刻介質(zhì)中穩(wěn)定，適用于浸涂或旋涂應(yīng)用。TRANSIST PC800和PD860非常適合用于標準濕法蝕刻設(shè)備。TRANSIST PC800和PD860可單獨購買，也可與顯影劑、漂洗劑、剝離劑和稀釋劑成套購買。

KemLab光刻膠 Transist正性和負性光刻膠

TRANSIST配套化學(xué)品

TRANSIST NC500和ND560處理參數(shù)

表面準備
基材應(yīng)清潔且無碎屑。使用適合基材的清潔溶液。例如，Transene 100可留下清潔無殘留的表面。

涂布
未稀釋的TRANSIST NC500可通過浸涂或旋涂方式施涂。在旋涂應(yīng)用中，推薦轉(zhuǎn)速為1500-4000 rpm，加速速率為100 rpm。在此條件下，可獲得3-6微米范圍的干膜抗蝕劑厚度。在推薦轉(zhuǎn)速范圍內(nèi)，涂布質(zhì)量與轉(zhuǎn)速無關(guān)。對于更高分辨率和更薄的抗蝕劑沉積層，可選用TRANSIST ND560。在相似的轉(zhuǎn)速下，可獲得1-3微米范圍的干膜涂層厚度。或者，也可手動或使用自動化設(shè)備浸涂TRANSIST NC500和ND560以獲得最佳均勻性。使用此方法可在1-10微米的厚度范圍內(nèi)實現(xiàn)±10%的涂布厚度分布。稀釋劑NC4500可用于稀釋TRANSIST NC500，稀釋劑ND4560適用于TRANSIST ND560。

未稀釋的TRANSIST PC800是一種正性光刻膠，可通過浸涂或旋涂方式施涂。在旋涂應(yīng)用中，推薦轉(zhuǎn)速為1500-4000 rpm，加速速率為100 rpm。在此條件下，可獲得3-6微米范圍的干膜抗蝕劑厚度。在推薦轉(zhuǎn)速范圍內(nèi)，涂布質(zhì)量與轉(zhuǎn)速無關(guān)。對于更高分辨率和更薄的抗蝕劑沉積層，可選用TRANSIST PD860。在相似的轉(zhuǎn)速下，可獲得1-3微米范圍的干膜涂層厚度。或者，也可手動或使用自動化設(shè)備浸涂TRANSIST PC800和PD860以獲得最佳均勻性。使用此方法可在1-10微米的厚度范圍內(nèi)實現(xiàn)±10%的涂布厚度分布。稀釋劑PC4800可用于稀釋TRANSIST PC800，稀釋劑PD4860適用于TRANSIST PD860。

干燥
涂布后的抗蝕劑暴露在低速、過濾的氣流下，可在五分鐘內(nèi)干燥至不粘手狀態(tài)。風(fēng)干后，需要在80°C的對流烘箱中保持十分鐘。此烘箱干燥步驟是后續(xù)處理所必需的。避免高于100°C的干燥溫度，否則可能導(dǎo)致不可接受的表面質(zhì)量。無需干燥后擱置時間。涂布干燥后的部件可在潔凈室環(huán)境中保存長達24小時。或者，也可在熱板上干燥十分鐘。

曝光
干燥后，抗蝕劑可在300至450 nm（理想范圍為350-400 nm）的準直光下曝光。推薦曝光能量為200-400 mJ/cm2，導(dǎo)致階調(diào)密度讀數(shù)約為4-6級實心（solid）。通常不需要曝光后硬烤，但可以實施以增加處理后的耐化學(xué)性。

顯影
TRANSIST NC500可使用顯影劑NC1500進行顯影。抗蝕劑的未曝光區(qū)域通常在25°C下45-90秒內(nèi)溶解，但提高顯影劑溫度將加速該過程并有助于溶解難以去除的涂層。過度加熱或過長的曝光時間也可能損壞已聚合的抗蝕劑。將工件浸入漂洗劑NC2500中5-10秒，然后用去離子水漂洗，即可終止顯影過程。使用顯影劑ND1560顯影TRANSIST ND560時，應(yīng)采用類似的處理條件。顯影后，將工件浸入漂洗劑ND2560中5-10秒以終止顯影過程。最后，用去離子水漂洗。

光刻膠顯影后，即可進行酸性電鍍或酸性濕法蝕刻化學(xué)工藝的后續(xù)處理。TRANSIST NC500和ND560不適用于堿性電鍍或蝕刻環(huán)境。在此類情況下，推薦使用PKP II光刻膠。

剝離
剝離劑NC3500設(shè)計用于在50°C或更高溫度下快速去除TRANSIST NC500。這種堿性剝離劑會使抗蝕劑呈片狀剝離。建議在此過程中攪拌剝離劑。對于TRANSIST ND560，可在類似條件下使用剝離劑ND3560。

TRANSIST PC800和PD860處理參數(shù)

表面準備
基材應(yīng)清潔且無碎屑。使用適合基材的清潔溶液。例如，Transene 100可留下清潔無殘留的表面。

干燥
涂布后的抗蝕劑暴露在低速、過濾的氣流下1-3分鐘后可干燥至不粘手狀態(tài)。風(fēng)干后，需要在80°C的對流烘箱中保持十分鐘。此烘箱干燥步驟是后續(xù)處理所必需的。避免高于100°C的干燥溫度，否則可能導(dǎo)致表面質(zhì)量不佳。無需干燥后擱置時間。涂布干燥后的部件可在潔凈室條件下保存長達24小時。或者，也可在熱板上干燥十分鐘。

曝光
干燥后，抗蝕劑可在300至450 nm（理想范圍為350-400 nm）的準直光下曝光。理想的曝光能量為200-350 mJ/cm2，導(dǎo)致階調(diào)密度讀數(shù)約為1-3級實心（solid）。避免可能導(dǎo)致抗蝕劑過熱的長時間曝光。

顯影
TRANSIST PC800可使用顯影劑PC1800進行顯影。抗蝕劑的未曝光區(qū)域通常在20-30°C下30-45秒內(nèi)溶解，但提高顯影劑溫度將加速該過程或允許處理難以去除的涂層。過度加熱或過長的曝光時間也可能損壞已聚合的抗蝕劑。必須將基板浸入漂洗劑中5-10秒，然后用去離子水漂洗，以終止顯影過程。使用顯影劑PD1860顯影TRANSIST PD860時，應(yīng)采用類似的處理條件。顯影后，將工件浸入漂洗劑PD2860中5-10秒以終止顯影過程。最后，用去離子水漂洗。

光刻膠顯影后，即可進行酸性電鍍或酸性濕法蝕刻化學(xué)工藝的后續(xù)處理。TRANSIST PC800和PD860不適用于堿性電鍍或蝕刻環(huán)境。在此類情況下，應(yīng)使用PKP II光刻膠。

剝離
剝離劑PC3800設(shè)計用于在50°C或更高溫度下快速去除TRANSIST PC800。這種堿性剝離劑會使抗蝕劑呈片狀剝離。建議在此過程中攪拌剝離劑。對于TRANSIST PD860，可在類似條件下使用剝離劑PD3860替代。