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    當前位置:首頁  >  技術文章

    • 2025

      7-4

      狹縫涂布流動分析了解狹縫涂布背后的基礎理論對于理解操作參數和狹縫幾何形狀如何相互作用以形成穩定涂層至關重要。高質量涂層只能在特定的涂布窗口內實現,離開此穩定涂布窗口將導致缺陷形成——最終,薄膜將無法涂布。通過了解涂層薄膜中缺陷的根源,可以知道需要改變哪些加工參數和狹縫幾何形狀以返回穩定涂布區域。在本節中,我們將討論:改進分布的分流板設計的理論基礎溶液如何通過受限制的通道流動產生大的壓力梯度涂層彎月面的形狀和位置如何受到影響溶液分布(SolutionDistribution)溶...

    • 2025

      7-4

      ??狹縫涂布:理論、設計與應用狹縫涂布是一種極其通用的沉積技術,其中溶液通過一個靠近基材表面的狹縫輸送到基材上。狹縫涂布方法的一個主要優點是濕膜涂層厚度、溶液流速以及涂層基材相對于涂布頭的速度之間存在簡單的關系。此外,狹縫涂布能夠在大面積上實現極其均勻的薄膜。例如,Ossila狹縫涂布機可以在許多米范圍內產生厚度變化低于5%的涂層,并且在100毫米范圍內厚度變化小于50微米(0.05%)。狹縫涂布是許多可用于將薄液膜沉積到基材表面的方法之一。與旋涂或浸涂等傳統技術相比,狹縫涂...

    • 2025

      6-27

      棒涂的介紹:方法、理論與應用棒涂是一種簡單的濕法加工技術,用于在基材上沉積一薄層溶液。將一根棒或梅爾棒(MayerRod)放置在基材上,并拖過溶液池,導致溶液鋪展成薄膜或涂層。棒涂通常用于開發汽車涂料、光伏電池和鋰離子電池等應用。棒涂可以手動進行,也可以自動化以提高精度和效率。在自動化棒涂系統(例如Ossila棒涂機中,使用自動涂膜機以均勻速度將棒(如繞線梅爾棒)在基材上移動。根據所用棒的類型,這種涂布方法也被稱為刮涂(drawdowncoating)、棒涂(rodcoati...

    • 2025

      4-22

      退火爐的溫場均勻性是決定材料熱處理質量的核心參數,直接影響晶粒尺寸、相變行為及殘余應力分布。本文系統探討溫場均勻性的關鍵影響因素、優化策略及工業應用案例,為高精度退火工藝提供理論指導與技術解決方案。1.溫場均勻性的技術意義與評價指標1.1均勻性對材料性能的影響·半導體晶圓:溫度偏差±5℃可導致摻雜濃度波動10%,載流子遷移率下降20%(參考IEEETrans.Semicond.Manuf.,2019)。·金屬板材:局部溫差20℃引發非均勻再結晶,拉伸強度分散度增...

    • 2025

      4-21

      快速退火爐的選型需要綜合考慮工藝需求、材料特性、設備性能以及預算等因素。以下是選型時需要關注的關鍵參數和步驟:---**1.明確工藝需求**?材料類型:金屬、半導體(如硅、GaN)、玻璃、陶瓷等,不同材料對溫度范圍和氣氛的要求差異較大。?退火目的:消除應力、再結晶、摻雜激活(如半導體離子注入后的退火)、改善材料性能等。?工藝參數:?溫度范圍:最高溫度需覆蓋材料退火需求(例如半導體退火可能需要1200°C以上,金屬可能更低)。?升溫速率:快速退火通常要求很高升溫速度(如100°...

    • 2025

      4-10

      如何選擇晶圓劃片機?關鍵技術與選型指南在半導體制造、MEMS器件封裝、光電子芯片加工等領域,晶圓劃片機(WaferDicingMachine)是將整片晶圓切割成獨立芯片(Die)的核心設備。其性能直接決定芯片的切割質量、生產效率和成本。然而,面對市場上種類繁多的劃片機(如機械劃片、激光切割、等離子蝕刻等),如何選擇適合的機型?本文將從技術原理、應用場景和關鍵參數出發,系統解析選型邏輯。一、明確需求:四大核心問題在選擇劃片機前,需明確以下基礎問題:1.加工材料類型傳統硅基晶圓:...

    • 2025

      4-9

      如何將整片晶圓分割成獨立的芯片呢?將硅片分裂成小片的過程通常稱為“劃片”或“切割”(Dicing),這是半導體制造中的關鍵步驟,用于將晶圓分割成獨立的芯片(die)。以下是幾種常見方法及注意事項:1.機械劃片(DicingSaw)原理:使用高速旋轉的金剛石刀片或硬質合金刀片切割硅片。步驟:貼膜:將硅片背面粘貼在藍膜(UV膠膜)上,固定位置。劃片:用劃片機沿預先設計的切割道(切割線)進行切割。清洗:去除切割產生的碎屑(可用去離子水或超聲波清洗)。分離:拉伸藍膜使小芯片分離。優點...

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