引線鍵合是芯片和外部封裝體之間互連最常見和有效的連接工藝。我們來講講鍵合工藝中會遇到的問題：一．鍵合工藝差錯造成的失效1.焊盤出坑出坑通常出現于超聲波鍵合中,是指對焊盤金屬化層下面半導體材料層的損傷。這種損傷有時是肉眼可見的凹痕,更多是不可見的材料結構損傷。這種損傷將降低器件性能并引發電損傷。其產生原因如下:(1)超聲波能量過高導致Si晶格層錯;(2)楔鍵合時鍵合力過高或過低:(3)鍵合工具對基板的沖擊速度過大,一般不會導致Si器件出坑,但會導致(3)GaAs器件出坑;(4)...

使用四探針法計算薄層電阻的原理薄層電阻(也稱為表面電阻或表面電阻率)是一種常見的電學性質，用于表征導體和半導體材料薄膜。它是通過薄正方形材料的橫向電阻的量度，即正方形對邊之間的電阻。與其他電阻測量相比，薄層電阻的主要優勢在于它與正方形的大小無關，因此可以輕松比較不同的樣品。這一特性可以很容易地用四點探針并且在高效鈣鈦礦光伏器件的制造中是至關重要的，其中需要低薄層電阻材料來提取電荷。薄層電阻的應用薄層電阻是任何薄膜材料的一個重要特性，電荷將在薄膜中傳播(而不是通過)。例如，薄膜...

太陽能電池特性分析與測試的幾種方法（二）3.動態伏安測量在動態I-V測量中，測量各種電壓下的電流響應，就像J-V掃描一樣。但是，在這種測量中，在記錄電流密度之前，需要等待測量值穩定一段時間。這給出了太陽能電池性能的非常精確的表示。事實上，一項比較不同實驗室對太陽能電池測量的研究認為，這是表征鈣鈦礦太陽能電池好的方法。然而，完整的J-V掃描可能需要很長時間來測量，尤其是如果太陽能電池表現出動態行為。例如，使用動態I-V測量來測量鈣鈦礦太陽能電池的一條J-V曲線需要幾個小時。只有...

太陽能電池特性分析與測試的幾種方法（一）太陽光模擬器用于測量太陽能電池的效率。為了表征太陽能電池在現實世界中的表現，使用有效模擬太陽光譜的太陽光源至關重要。當然，你可以使用真正的陽光，但是這會引入一些不可控的變量。為了可靠地測試太陽能電池，你需要在實驗室內保持受控的條件。此外，許多太陽能電池的材料在早期的開發階段不能經受氣候影響。由于這些原因，當在實驗室環境中測試太陽能電池時，你應該使用太陽光模擬器來重現太陽的輻照度。為了表征太陽能電池，太陽光模擬器需要滿足關于時間穩定性、光...

如何選擇紫外臭氧清洗機？今天的主角是我們的一款簡易的紫外臭氧清洗機。來自其他制造商的紫外臭氧清潔機可以提供一系列附加功能。更多的功能常常會被誤認為是更有效的性能。但是，在您的實驗設置中評估附加功能的必要性和適用性總是很重要的。我們這款紫外臭氧清潔機本著簡單高效的理念構建，提供了一個有效工作的模型，沒有不必要的、復雜的或令人困惑的特性。1.加熱功能超過150°C，材料的溫度越高，紫外臭氧清洗的反應速度越快。因此，提高襯底的溫度可以促進更快的清洗速率。為此，一些系統將可加熱的樣品...

氮化硼封裝對2D半導體層等離子體處理的影響（下）結果和討論在樣品制備、器件制造和后處理過程中，2D材料或異質結構可能會遇到幾種形式的高能輻射源。使用的輻射源包括電子、離子(氬、氦和氙)和光子(激光、紫外線)通量。然而，離子束和紫外光分別是蝕刻和光刻工藝中最CY的。在這里，我們研究了h-BN，MoS2及其異質結構在Ar+離子等離子體下曝光。氬離子等離子體是最CY的，因為氬由于其固有的惰性不會與樣品形成化學鍵。氬也是一種足夠重的離子，可以提供足夠的動能以在合理的加速電壓下蝕刻樣品...

二維(2D)過渡金屬二硫族化合物(TMDCs)在光學、電子學、催化和能量存儲方面的應用是研究的熱點。當封裝在沒有電荷無序的環境中時，它們的光學和電子性質可以顯著增強。因為六方氮化硼(h-BN)是原子級薄的、高度結晶的并且是強絕緣體，所以它是封裝和鈍化TMDCs常用的2D材料之一。在這份報告中，我們研究了超薄氮化硼如何屏蔽底層金屬氧化物半導體在半導體器件制造和后處理過程中通常使用的高能氬等離子體的TMDCs層。像差校正的掃描透射電子顯微鏡用于分析h-BN和MoS2中的缺陷形成這...