快速退火爐用于半導(dǎo)體硅片精密退火與工藝研發(fā)

MYCRO這款RTP-500SV快速退火爐可實(shí)現(xiàn)100–1300℃范圍內(nèi)的高速、精準(zhǔn)熱處理，專為4英寸硅片退火及半導(dǎo)體材料工藝研發(fā)而設(shè)計(jì)。

快速退火爐（RTP）

——用于半導(dǎo)體硅片精密退火與工藝研發(fā)

在半導(dǎo)體材料與器件制造過(guò)程中，硅片退火工藝對(duì)晶格修復(fù)、摻雜激活、薄膜質(zhì)量及器件性能具有決定性影響。本快速退火爐（Rapid Thermal Processor, RTP）采用高功率鹵鎢燈輻射加熱技術(shù)，結(jié)合精準(zhǔn)溫控與多重安全保護(hù)，為4英寸及以下硅片提供穩(wěn)定、可重復(fù)的快速熱處理解決方案。

典型應(yīng)用

離子注入后退火（摻雜激活、損傷修復(fù)）

硅片應(yīng)力釋放與晶體結(jié)構(gòu)優(yōu)化

氧化 / 氮化工藝后的熱處理

新材料、新結(jié)構(gòu)及新工藝研發(fā)

半導(dǎo)體材料教學(xué)與科研實(shí)驗(yàn)

核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)

??超寬溫度范圍與高精度控制

溫度設(shè)定范圍：100 – 1300℃

全溫區(qū)測(cè)溫精度優(yōu)于 0.5%（100–1300℃）

穩(wěn)態(tài)溫度穩(wěn)定性：±1℃

雙閉環(huán)溫度控制，1000℃可連續(xù)穩(wěn)定工作>1小時(shí)

??高速、可控的熱處理能力

升溫速率：2 – 200℃/秒，可調(diào)

每段工藝時(shí)間設(shè)定范圍：1 – 30,000秒

有效降低熱擴(kuò)散，滿足工藝需求

??高度靈活的工藝編程

PC 筆記本電腦控制（Windows 7+RTP控制軟件）

可存儲(chǔ)500條以上溫度曲線

每條曲線支持50段以上程序步驟

工藝數(shù)據(jù)可導(dǎo)出為文本文件，便于分析與追溯

主要技術(shù)參數(shù)

樣品尺寸：4 英寸硅片

測(cè)溫方式：K 型熱電偶

加熱光源：1.25 kW × 13 支鹵鎢燈

密封石英腔體內(nèi)尺寸：215 × 140 × 14 mm

工藝氣體：1 路 MFC 質(zhì)量流量控制器

真空系統(tǒng)：配套真空油泵，抽速 8 m3/h