RTP-3系列快速退火爐，采用紅外輻射加熱及冷壁技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)對(duì)實(shí)驗(yàn)材料的快速升溫和降溫

AS真空快速退火爐，性能ZYUE，可搭配分子泵實(shí)現(xiàn)高真空下熱處理工藝。Z高溫度1500 ℃，Z快升溫速率200℃/Second。全程PC軟件控制升溫程序，保證溫度不過(guò)沖，控溫精度準(zhǔn)確。

AS-Micro真空快速退火爐，性能，可搭配分子泵實(shí)現(xiàn)高真空下熱處理工藝。zui高溫度1250 ℃，zui快升溫速率250℃/Second。全程PC軟件控制升溫程序，保證溫度不過(guò)沖，控溫精度準(zhǔn)確。

美國(guó)RTP系列的快速退火爐溫度均勻度≤1%，處理的大尺寸可以達(dá)到200mm，溫度可以達(dá)到1200攝氏度，處理過(guò)程可以在真空環(huán)境或者惰性氣體的環(huán)境中執(zhí)行，做多可支持4~6路進(jìn)氣，可以用到的氣體包含N2，O2，N2H2，Ar和H2。

快速退火爐系統(tǒng)SSI是一個(gè)簡(jiǎn)單穩(wěn)定的熱處理系統(tǒng)，適合于廣泛大尺寸為直徑2~8英寸的基片材料和結(jié)構(gòu)的快速熱低溫退火（RTA），（如電子級(jí)硅、鋼鐵、玻璃、單晶硅、III-V族化合物、II-VI族化合物、鍺、超導(dǎo)體、陶瓷等等）。

SSI快速退火爐系統(tǒng)是一個(gè)簡(jiǎn)單穩(wěn)定的熱處理系統(tǒng)，適合于廣泛大尺寸為直徑2~8英寸的基片材料和結(jié)構(gòu)的快速熱低溫退火（RTA），（如電子級(jí)硅、鋼鐵、玻璃、單晶硅、III-V族化合物、II-VI族化合物、鍺、超導(dǎo)體、陶瓷等等）。