北京志達恒業半導體科技中心
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09-16 2011低壓小功率逆變電源已經被廣泛應用于工業和民用領域。特別是新能源的開發利用，例如太陽能電池的普遍使用，需要一個逆變系統將太陽能電池輸出的直流電壓變換為220V、50Hz交流電壓，以便于使用。本文給出了一種用單片機控制的正弦波輸出逆變電源的設計，它以12V直流電源作為輸入，輸出220V、50Hz、0~150W的正弦波交流電，以滿足大部分常規小電器的供電需求。該電源采用推挽升壓和全橋逆變兩級變換，前后級之間*隔離。在控制電路上，前級推挽升壓電路采用SG3525芯片控制，采樣變壓器繞組電壓做閉環反饋；逆
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06-20 2011絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是繼雙極晶體管（GTR）和MOSFET后的新一代功率半導體分立器件，其綜合GTR和MOSFET的優點，具有易于驅動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高的特點，廣泛應用于小體積、率的變頻電源、電機調速、UPS以及逆變焊機當中，是目前發展zui為迅速的新一代功率器件。國內IGBT產業需求明確，市場增長空間廣闊由于下游各細分應用市場需求的快速增長，我國已成為zui大的功率半導體器件消費國。根據賽迪顧問統計，2009年我國功率半導體器件市場規模已達到1215.3億元，200
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06-16 2011新型電力半導體器件的代表，IGBT的產業化在我國還屬空白。無論技術、設備還是人才，我國都處于的落后狀態。應當認識到，電力半導體器件和集成電路在國民經濟發展中地位同樣重要，因此，政府應該對IGBT產業予以大力扶持。*，電力電子技術可以提高用電效率，改善用電質量，是節省能源的技術。當今以絕緣柵雙極晶體管（IGBT）為代表的新型電力半導體器件是高頻電力電子線路和控制系統的核心開關元器件，它的性能參數將直接決定著電力電子系統的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導體器件的代表性器件，對大功率高頻電力電
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06-13 2011IGBT器件（絕緣柵雙極型晶體管）是一種MOSFET與雙極晶體管復合的器件。它既有易于驅動、控制簡單、開關頻率高的優點，又有功率晶體管的導通電壓低、通態電流大、損耗小的顯著優點。在節能市場領域獲得較為廣泛的應用。從消費電子，到工業控制都能見到IGBT身影。在眾多應用領域的帶動下，IGBT已經成為功率器件家族中的新興力量。投資邏輯：我們建議從戰略角度來看待中國IGBT行業的投資機會。我們認為，中國IGBT市場未來五年將保持復合25%以上增速增長，而未來本土企業的技術創新將凸顯投資價值。革命性、必要
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06-01 2011綠色經濟中的新能源、高鐵、電動汽車、智能電網這些產業或產品中,無一例外的出現IGBT（絕緣柵雙極型功率管）的身影,IGBT是它們*的功率“芯臟”。大功率、高耐壓、節能效果好等特點決定了IGBT是目前也是未來相當長一段時間內功率半導體的主流技術。市場前景廣闊新能源、高鐵、電動汽車等綠色經濟產業在未來十年甚至更長的時間里將保持每年20-30%的高速增長,發展綠色經濟成為各個主要經濟體的共識。作為綠色經濟的功率“芯臟”,IGBT市場發展前景一片光明。進口替代空間巨大目前IGBT的國內主要供應商都是外國
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